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estadio palmas,Explore a Sala de Transmissão Esportiva da Hostess Bonita, Onde Cada Evento Se Torna uma Experiência Imperdível de Adrenalina e Emoção..Os esforços começaram no final da década de 1940 para encontrar uma memória não volátil. A memória de núcleo magnético permitia a recuperação da memória após a perda de energia. Foi desenvolvida por Frederick W. Viehe e An Wang no final da década de 1940 e aprimorada por Jay Forrester e Jan A. Rajchman no início da década de 1950, antes de ser comercializada com o computador Whirlwind em 1953. A memória de núcleo magnético foi a forma dominante de memória até o desenvolvimento da memória de semicondutor MOS na década de 1960.,O termo ''memória'' também é frequentemente usado para se referir à memória não volátil, incluindo a memória somente de leitura (ROM) até a moderna memória flash. A memória somente de leitura programável (PROM) foi inventada por Wen Tsing Chow em 1956, enquanto trabalhava para a Arma Division da American Bosch Arma Corporation. Em 1967, Dawon Kahng e Simon Sze da Bell Labs propuseram que a porta flutuante de um dispositivo semicondutor MOS poderia ser usada para a célula de uma ROM reprogramável, o que levou Dov Frohman da Intel a inventar a EPROM (PROM apagável) em 1971. A EEPROM (PROM apagável eletricamente) foi desenvolvida por Yasuo Tarui, Yutaka Hayashi e Kiyoko Naga no ''National Institute of Advanced Industrial Science and Technology'' em 1972. A memória flash foi inventada por Fujio Masuoka na Toshiba no início dos anos 1980. Masuoka e colegas apresentaram a invenção da memória NOR flash em 1984, e depois a memória NAND flash em 1987. A Toshiba comercializou a memória NAND flash em 1987..
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